Fotorezystor PGM5659D
Symbol Micros:
ORRPGM5659D
Obudowa: Rys.PGM5659D
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=150-300kR; 1lx(min)=20MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=100mW;
Parametry
| Właściwości: | Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=150k-300k |
| Moc: | 0,1W |
| Napięcie pracy: | 150V |
| Długość fali (nm): | 560nm |
| Temperatura pracy (zakres): | -30°C ~ 70°C |
Producent: import
Symbol producenta: PGM5659D RoHS
Obudowa dokładna: Rys.PGM5659D
Stan magazynowy:
335 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 600+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2000 | 0,5810 | 0,3990 | 0,3630 | 0,3420 |
| Właściwości: | Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=150k-300k |
| Moc: | 0,1W |
| Napięcie pracy: | 150V |
| Długość fali (nm): | 560nm |
| Temperatura pracy (zakres): | -30°C ~ 70°C |