IRLR014PBF Vishay

Symbol Micros: TIRLR014
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 280mOhm; 7,7A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR014TRLPBF; IRLR014TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,7A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRLR014 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 1,9700 1,2000 0,8860 0,8170 0,7890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,7A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD