ZXTN2031FTA Diodes

Symbol Micros: TZXTN2031f
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 560; 1,2W; 50V; 5A; 125MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 1,2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 560
Producent: DIODES
Częstotliwość graniczna: 125MHz
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXTN2031FTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,1500 2,0000 1,5800 1,4300 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 1,2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 560
Producent: DIODES
Częstotliwość graniczna: 125MHz
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN