MMUN2213LT1G

Symbol Micros: TMMUN2213
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 140; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMUN2213LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 10+ 40+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,4580 0,2020 0,1330 0,0846 0,0705
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 400mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN