BC860C DIOTEC

Symbol Micros: TBC860c DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C; BC860CWH6327;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC860C RoHS 3G/4G. Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3610 0,1420 0,0830 0,0607 0,0555
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP