2N5550

Symbol Micros: T2N5550
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 140V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5550G; 2N5550RLRPG; 2N5550TA; 2N5550TAR; 2N5550TFR; 2N5550-LGE;
Parametry
Moc strat: 625mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 140V
Producent: LGE Symbol producenta: 2N5550 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4710 0,1870 0,1100 0,0809 0,0724
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 625mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 140V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN