NST45010MW6T1G

Symbol Micros: TNST45010mw6

Obudowa: SOT363

Tranzystor PNP; 475; 380mW; 45V; 100mA; -55°C ~ 150°C;

Parametry

Moc strat:	380mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	475
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Obudowa:	SOT363
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	45V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NST45010MW6T1G RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

0 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	1,9900	1,2000	0,9260	0,8360	0,7950

Sposób pakowania:
3000/30000 Ilość (wielokrotność: 1)

Moc strat:	380mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	475
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Obudowa:	SOT363
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	45V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	PNP