BUX85

Symbol Micros: TBUX85
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 50; 50W; 450V; 2A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUX85G;
Parametry
Moc strat: 50W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 450V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BUX85G RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4500 1,9200 1,8100 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Moc strat: 50W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 450V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN