ZXTP2012G
Symbol Micros:
TZXTP2012g
Obudowa: SOT223t/r
Tranzystor PNP; 300; 3W; 60V; 5,5A; 120MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 3W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 120MHz |
| Producent: | Zetex |
| Obudowa: | SOT223t/r |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTP2012GTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6800 | 2,4400 | 2,0200 | 1,8200 | 1,7500 |
| Moc strat: | 3W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 120MHz |
| Producent: | Zetex |
| Obudowa: | SOT223t/r |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |