BAV21 dioda impulsowa
Symbol Micros:
DIBAV21t
Obudowa: DO35 t/r
0,2A; 250V; szybka <50ns; pakowanie: ammo
Parametry
| Obudowa: | DO35 t/r |
| Prąd przewodzenia: | 200mA |
| Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: | 250V |
| Typ: | Dioda przełączająca |
| Montaż: | THT |
Producent: NXP
Symbol producenta: BAV21 RoHS
Obudowa dokładna: DO35amm
Stan magazynowy:
2580 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5120 | 0,2340 | 0,1270 | 0,0944 | 0,0854 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BAV21,113 RoHS
Obudowa dokładna: DO35 t/r
Stan magazynowy:
9000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5120 | 0,2340 | 0,1270 | 0,0944 | 0,0854 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BAV21,133
Obudowa dokładna: DO35 t/r
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0854 |
| Obudowa: | DO35 t/r |
| Prąd przewodzenia: | 200mA |
| Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: | 250V |
| Typ: | Dioda przełączająca |
| Montaż: | THT |