BAV70 SOT23 HXY MOSFET

Symbol Micros: DIBAV70 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
0,2A; 70V; ultra szybka <6ns; pakowanie: taśma/krążek
Parametry
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Prąd przewodzenia: 200mA
Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: 70V
Typ: Dioda impulsowa
Montaż: SMD
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BAV70 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,1500 0,0545 0,0286 0,0213 0,0200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Prąd przewodzenia: 200mA
Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: 70V
Typ: Dioda impulsowa
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta