BAV99 SOT23 HXY MOSFET

Symbol Micros: DIBAV99 smd HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
200mA; 70V; ultra szybka <6ns; pakowanie: taśma/krążek
Parametry
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Prąd przewodzenia: 200mA
Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: 70V
Typ: Dioda impulsowa
Montaż: SMD
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BAV99 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,2180 0,0806 0,0426 0,0315 0,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Prąd przewodzenia: 200mA
Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: 70V
Typ: Dioda impulsowa
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta