US1M SMA HXY MOSFET

Symbol Micros: DP US1M HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DO214AC-SMA
1A; 1000V; ultra szybka <75ns pakowanie: taśma/krążek
Parametry
Obudowa: DO214AC-SMA
Producent: HXY MOSFET
Prąd przewodzenia: 1A
Napięcie pracy: 1000V
Typ: Dioda prostownicza
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: US1M RoHS Obudowa dokładna: DO214AC-SMA karta katalogowa
Stan magazynowy:
10000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 2000+ 10000+
cena netto (PLN) 0,2610 0,0973 0,0519 0,0402 0,0360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000/10000
Obudowa: DO214AC-SMA
Producent: HXY MOSFET
Prąd przewodzenia: 1A
Napięcie pracy: 1000V
Typ: Dioda prostownicza