BAT54C,215 dioda Schottky podwójna

Symbol Micros: DS BAT54C
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
0,2A; 30V; wspólna katoda; opakowanie: taśma/krążek; odpowiednik: BAR43C; BAT54C,215; BAT54CLT1G
Parametry
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Prąd przewodzenia: 200mA
Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: 30V
Rodzaj opakowania: Rolka
Montaż: SMD
Typ: Schottky
Producent: NXP Symbol producenta: BAT54C,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
32806 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4230 0,1670 0,0973 0,0711 0,0650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/144000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BAT54C,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
5300 szt.
ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1135
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BAT54C Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
6245 szt.
ilość szt. 20+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0828
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Prąd przewodzenia: 200mA
Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: 30V
Rodzaj opakowania: Rolka
Montaż: SMD
Typ: Schottky
Opis szczegółowy

Dioda Schottky'ego BAT54C SMD

Dioda BAT54C to wysokoefektywny komponent typu Schottky'ego, powszechnie stosowany w układach, gdzie kluczowe znaczenie ma minimalizacja strat mocy i ultraszybkie przełączanie. Jest to dioda podwójna z konfiguracją wspólnej katody, co umożliwia elastyczne zastosowanie w układach zabezpieczających i zaciskających. Dostarczana w popularnej obudowie SMD SOT-23, stanowi idealny wybór dla projektów o niskim napięciu zasilania, wymagających bardzo niskiego spadku napięcia w kierunku przewodzenia.

Kluczowe cechy i specyfikacja diody BAT54C

Kluczową zaletą diod Schottky'ego jest praktycznie zerowy czas odzyskiwania zwrotnego oraz bardzo niski spadek napięcia w kierunku przewodzenia, co przekłada się na wysoką efektywność energetyczną układu. Dioda BAT54C została zoptymalizowana do pracy w aplikacjach niskonapięciowych, gwarantując minimalne wydzielanie ciepła.

Najważniejsze parametry techniczne diody BAT54C:

  • Typ diody: dioda Schottky'ego (Schottky Barrier Diode)
  • Konfiguracja: podwójna dioda ze wspólną katodą (common cathode)
  • Napięcie wsteczne maksymalne (VR): 30 V
  • Prąd przewodzenia ciągły (IF): 200 mA
  • Spadek napięcia przewodzenia (VF): typowo 0,3 V
  • Obudowa: SOT-23, montaż powierzchniowy SMD

Zestaw tych parametrów, a w szczególności konfiguracja wspólnej katody, sprawia, że dioda BAT54C jest idealnym rozwiązaniem do aplikacji wymagających wysokiej sprawności oraz minimalnych strat energii.

Typowe zastosowania diody BAT54C

Dzięki podwójnej strukturze i bardzo niskiemu spadkowi napięcia, dioda BAT54C znajduje szerokie zastosowanie w aplikacjach zasilających i sygnałowych, gdzie jej szybkość i efektywność przynoszą wymierne korzyści.

  • zabezpieczenia przed odwrotną polaryzacją i przepięciami do 30 V
  • układy zaciskające i ograniczniki napięcia (clamping circuits)
  • prostowniki małej mocy i układy mieszające w aplikacjach RF
  • ochrona linii danych i portów logicznych przed przepięciami

Dioda BAT54C w obudowie SOT-23 to sprawdzony komponent zapewniający wysoką niezawodność i stabilność parametrów, niezbędne w precyzyjnych i energooszczędnych aplikacjach. W przypadku pytań technicznych dotyczących doboru i integracji komponentu prosimy o kontakt pod adresem: bok // micros.com.pl.