BAT54S dioda Schottky podwójna SOT23

Symbol Micros: DS BAT54S ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
0,2A; 30V; wspólnie połączone opakowanie: taśma/krążek; najbliższy odpowiednik: BAR43S
Parametry
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Prąd przewodzenia: 200mA
Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: 30V
Rodzaj opakowania: Taśma/Rolka
Montaż: SMD
Typ: Schottky
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BAT54SLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2765 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4520 0,1780 0,1040 0,0761 0,0695
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BAT54SLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
400 szt.
ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0695
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BAT54SLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
303000 szt.
ilość szt. 36000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0695
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BAT54SLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3621000 szt.
ilość szt. 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0695
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Prąd przewodzenia: 200mA
Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: 30V
Rodzaj opakowania: Taśma/Rolka
Montaż: SMD
Typ: Schottky
Opis szczegółowy

Dioda Schottky'ego BAT54S SMD

Dioda BAT54S to wysokowydajny komponent typu Schottky'ego, charakteryzujący się ekstremalnie niskim spadkiem napięcia w kierunku przewodzenia (VF) oraz bardzo szybkim przełączaniem. Dostarczana przez firmę ON Semiconductor (ONS) w obudowie SMD SOT-23, łączy dwie diody Schottky'ego w jednej obudowie. Jest to idealny wybór dla projektów, w których kluczowa jest minimalizacja strat mocy i szybkie działanie, takich jak obwody zabezpieczające i prostowniki małej mocy.

Kluczowe cechy i specyfikacja diody BAT54S

Konfiguracja diody BAT54S (dwie diody połączone szeregowo) pozwala na elastyczne zastosowanie w układach zabezpieczających i zaciskających (clamping circuits). Jej kluczową zaletą jest niski spadek napięcia, co znacząco podnosi efektywność energetyczną układu.

Najważniejsze parametry techniczne diody BAT54S:

  • Typ diody: dioda Schottky'ego (Schottky Barrier Diode)
  • Konfiguracja: podwójna dioda połączona szeregowo w obudowie SOT-23
  • Napięcie wsteczne maksymalne (VR): 30 V
  • Prąd przewodzenia ciągły (IF): 200 mA
  • Spadek napięcia przewodzenia (VF): bardzo niski, minimalizujący straty mocy
  • Obudowa: SOT-23, montaż powierzchniowy SMD

Ten zestaw parametrów, a w szczególności niski spadek napięcia, sprawia, że dioda BAT54S jest niezastąpiona w aplikacjach wymagających wysokiej efektywności i minimalnego wydzielania ciepła.

Typowe zastosowania diody BAT54S

Dzięki podwójnej architekturze i minimalnym stratom energetycznym, dioda BAT54S znajduje szerokie zastosowanie w aplikacjach zasilających i sygnałowych, gdzie jej szybkość i niska wartość VF przynoszą wymierne korzyści. Podstawowe zastosowania to:

  • zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją i stanami przejściowymi w obwodach o napięciu 3,3V i 5V
  • układy zaciskające (clamping circuits) i ograniczniki napięcia
  • prostowniki małej mocy w systemach o niskim napięciu
  • miksery i detektory w aplikacjach wysokiej częstotliwości (RF)

Dioda BAT54S w obudowie SOT-23, dostępna w ofercie Micros, to zweryfikowany komponent firmy ON Semiconductor, który zapewnia wysoką niezawodność i powtarzalność parametrów, niezbędne w precyzyjnych aplikacjach. Jest to podstawa dla każdego, kto projektuje energooszczędne systemy.