PESD 5V0 S1BA SOD323

PESD5V0S1BA - Charakterystyka ogólna i przeznaczenie układu

Dioda zabezpieczająca PESD5V0S1BA to wyspecjalizowany, dwukierunkowy komponent o niskiej pojemności, zaprojektowany do skutecznej ochrony pojedynczej linii sygnałowej przed uszkodzeniami spowodowanymi wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) oraz innymi stanami nieustalonymi i przepięciami udarowymi. Element ten jest dostarczany w ultramałej obudowie z tworzywa sztucznego przeznaczonej do montażu powierzchniowego SMD typu SOD323 (w standardzie NXP oraz JEITA jako SC-76). Kompaktowe wymiary umożliwiają bezpośrednią integrację układu w zminiaturyzowanych obwodach elektronicznych o wysokim zagęszczeniu komponentów. Urządzenie charakteryzuje się zdolnością do pochłaniania impulsów o dużej mocy szczytowej, zachowując przy tym wyjątkowo niski prąd upływu. Dioda jest przystosowana do zabezpieczania linii sygnałowych, w których polaryzacja występuje zarówno powyżej, jak i poniżej potencjału masy układu.

PESD5V0S1BA - Zastosowanie produktu w systemach elektronicznych

Model PESD5V0S1BA znajduje szerokie zastosowanie w aplikacjach wymagających bezwzględnej ochrony przed zakłóceniami zewnętrznymi, stanowiąc kluczowy element obwodów w zróżnicowanych urządzeniach elektronicznych. Głównym obszarem implementacji układu są telefony komórkowe oraz podłączane do nich akcesoria mobilne, gdzie ochrona głównych linii sygnałowych przed zewnętrznymi wyładowaniami warunkuje bezawaryjne działanie całego urządzenia. Komponent ten jest również rutynowo stosowany w szeroko pojętej elektronice przenośnej, w tym w zaawansowanym sprzęcie audio i wideo, chroniąc wrażliwe układy scalone. Ze względu na dwukierunkowy charakter ochrony oraz bardzo krótki czas reakcji na stany nieustalone, dioda stanowi integralną część systemów transmisji danych w komputerach osobistych oraz we współpracujących z nimi urządzeniach peryferyjnych. Dodatkowo, element ten jest wymaganym punktem zabezpieczeń w profesjonalnych systemach komunikacyjnych, gdzie integralność przesyłanych danych musi zostać zachowana niezależnie od nagłych wahań napięcia i szkodliwych czynników środowiskowych.

PESD5V0S1BA - Specyfikacja techniczna i parametry elektryczne

Poniższe zestawienie określa dokładne parametry elektryczne oraz wartości graniczne dla urządzenia w temperaturze otoczenia 25°C:

• Typ obudowy: SOD323 (SC-76) do montażu powierzchniowego
• Odporność na wyładowania elektrostatyczne (ESD): >30kV (wyładowanie kontaktowe zgodnie z normą IEC 61000-4-2, poziom 4) oraz 10kV (dla modelu HBM MIL-Std 883)
• Maksymalna moc impulsu szczytowego (PPP): 130W (przy wykładniczo zanikającym przebiegu 8/20µs zgodnie z normą IEC 61000-4-5)
• Maksymalny prąd impulsu szczytowego (IPP): 12A (dla przebiegu 8/20µs)
• Znamionowe napięcie wsteczne (VRWM): 5V
• Napięcie przebicia (V(BR)): minimum 5.5V, maksimum 9.5V (przy prądzie testowym IR=1mA)
• Napięcie zaciskania (V(CL)R): maksymalnie 10V (przy IPP=1A) oraz maksymalnie 14V (przy IPP=12A)
• Prąd upływu (IRM): typowo 5nA, maksymalnie 100nA (przy napięciu wstecznym VRWM=5V)
• Pojemność diody (Cd): typowo 35pF, maksymalnie 45pF (przy parametrach VR=0V, f=1MHz)
• Rezystancja różnicowa (rdif): maksymalnie 50Ω (przy prądzie testowym IR=1mA)
• Maksymalna dopuszczalna temperatura złącza (Tj): 150°C
• Zakres temperatury otoczenia w trakcie pracy (Tamb): od -65°C do +150°C
• Zakres temperatury przechowywania (Tstg): od -65°C do +150°C

PESD5V0S1BA - Wytyczne projektowe dla obwodów drukowanych

Zapewnienie prawidłowego rozmieszczenia komponentów na płytce drukowanej (PCB) jest warunkiem koniecznym dla skutecznego tłumienia impulsów ESD oraz stanów przejściowych. Architektura obwodu powinna zakładać umiejscowienie układu zabezpieczającego w jak najmniejszej odległości od fizycznego złącza wejściowego lub terminala. Długość ścieżki miedzianej pomiędzy elementem ochronnym a zabezpieczaną linią sygnałową musi zostać zredukowana do minimum. Równoległe trasy sygnałowe wymagają ograniczenia, a prowadzenie przewodów chronionych w bezpośrednim sąsiedztwie przewodów pozbawionych ochrony jest niedopuszczalne technologicznie. Konstruktor powinien zminimalizować obszar wszystkich pętli przewodzących na obwodzie, uwzględniając w tym pętle zasilania oraz masy układu. Ścieżka powrotna dla stanów przejściowych powinna być jak najkrótsza, bez współdzielenia jej ze wspólnym punktem uziemienia dla całego systemu. W zaawansowanych układach zaleca się obligatoryjne wykorzystanie dedykowanych płaszczyzn masy, a w przypadku wielowarstwowych obwodów drukowanych konieczne jest zastosowanie odpowiednich przelotek masowych.