PESD5V0S2BT SOT23 HXY MOSFET dioda transil

PESD5V0S2BT - Zastosowanie produktu i właściwości ogólne

Dioda zabezpieczająca PESD5V0S2BT, produkowana przez firmę HUAXUANYANG ELECTRONICS CO.,LTD (HXY), to wysoce wyspecjalizowany element półprzewodnikowy chroniący wrażliwe podzespoły elektroniczne przed nieodwracalnymi uszkodzeniami i zakłóceniami w funkcjonowaniu. Zjawiska te są najczęściej wywoływane przez nagłe wyładowania elektrostatyczne (ESD) oraz inne gwałtowne stany przejściowe o podłożu napięciowym. Zastosowanie tego komponentu obejmuje przede wszystkim zabezpieczanie pojedynczych linii dwukierunkowych (bi-directional line) w zaawansowanych systemach elektronicznych. Tego typu rozwiązanie jest optymalne w specyficznych układach, gdzie użycie wielokrotnych matryc ochronnych (tvs arrays) okazuje się niepraktyczne z powodów projektowych lub braku przestrzeni na obwodzie drukowanym. Dioda zapewnia ochronę przeciw wyładowaniom na poziomie 4 (zgodnie z rygorystycznym standardem IEC61000-4-2), gwarantując bezproblemową wytrzymałość na wyładowania w powietrzu oraz wyładowania kontaktowe o wartości ±30KV. Dodatkowo układ ten skutecznie chroni obwody przed szybkimi elektrycznymi stanami przejściowymi (EFT) o natężeniu prądu do 15A, zachowując zgodność z normą IEC61000-4-4. Komponent ten doskonale sprawdza się w aplikacjach wymagających bardzo szybkiego czasu reakcji, niezwykle doskonałej zdolności ograniczania napięcia (clamping capability), niskiej pojemności własnej złącza (typowo 20pF) oraz bardzo małego prądu upływu, który wynosi maksymalnie 1uA. Dla rygorystycznych aplikacji motoryzacyjnych oraz innych wdrożeń, które bezwzględnie wymagają kontroli miejsca produkcji, producent oferuje unikalne warianty oznaczane specjalnym prefiksem "S-". Elementy te posiadają pełną kwalifikację motoryzacyjną AEC-Q101 oraz są certyfikowane w procesie PPAP (Production Part Approval Process). Z punktu widzenia inżyniera projektującego nowoczesne urządzenia, niezwykle istotne jest również to, że układ posiada certyfikację RoHS oraz jest całkowicie wolny od szkodliwych halogenów (Halogen Free), co umożliwia jego globalne stosowanie w nowoczesnej elektronice.

PESD5V0S2BT - Specyfikacja techniczna i parametry elektryczne

Poniższe parametry elektryczne oraz absolutne wartości graniczne dotyczą pracy komponentu w typowej temperaturze otoczenia wynoszącej 25°C, stanowiąc najważniejszy punkt odniesienia podczas projektowania obwodów:

• Maksymalna szczytowa moc impulsu (Peak Pulse Power, tp=8/20us): 100W.
• Maksymalne napięcie wsteczne (Reverse Standoff Voltage, VRWM): 5V.
• Napięcie przebicia (Breakdown Voltage, VBR) mierzone przy prądzie testowym IT=1mA: minimum 6V, maksimum 8V.
• Napięcie ograniczające (Clamping Voltage, Vc) przy szczytowym prądzie impulsu IPP=1A: maksymalnie 9V.
• Napięcie ograniczające (Clamping Voltage, Vc) przy maksymalnym deklarowanym prądzie IPP: maksymalnie 11V.
• Maksymalny prąd upływu (Reverse Leakage Current, IR) przy napięciu wstecznym VRWM: 1uA.
• Maksymalny szczytowy prąd impulsu (Peak Pulse Current, IPP): 8A.
• Typowa pojemność wewnętrzna złącza (Capacitance, C): 20pF.
• Maksymalna odporność na wyładowania elektrostatyczne ESD (powietrze oraz kontakt): ±30KV.
• Maksymalna odporność na stany przejściowe EFT (według standardu IEC61000-4-4): 15A.
• Maksymalna dopuszczalna temperatura ołowiu podczas procesu lutowania przez czas 10s: 260°C.
• Dopuszczalny, roboczy zakres temperatur pracy (Operating Temperature Range): od -55°C do +125°C.
• Skrajny zakres temperatur przechowywania (Storage Temperature Range): od -55°C do +150°C.
• Maksymalna dopuszczalna temperatura złącza (Maximum junction temperature) bez ryzyka uszkodzenia: 150°C.

PESD5V0S2BT - Charakterystyka temperaturowa, wykresy impulsowe i budowa obudowy

Producent układu precyzyjnie zbadał i udokumentował zachowanie diody PESD5V0S2BT w domenie czasu oraz przy zmiennych parametrach temperaturowych, prezentując wyniki na dedykowanych wykresach. Krzywa fali impulsu (Pulse Waveform) wykazuje, że referencyjny prąd szczytowy IPP osiąga swoją maksymalną wartość po zaledwie krótkim czasie narastania 8us, natomiast całkowity czas trwania impulsu od początku zjawiska, aż do momentu opadnięcia do równej połowy wartości szczytowej, wynosi równe 20us. Charakterystyka temperaturowa mocy (Power Derating Curve) bezsprzecznie dowodzi, że dioda pracuje z pełną wydajnością (100% nominalnej mocy znamionowej równej 100W) przy temperaturze otoczenia wynoszącej 25°C, natomiast przy każdym dalszym wzroście temperatury jej dopuszczalna wytrzymałość mocowa ulega liniowemu obniżeniu, osiągając wartość całkowicie zerową przy skrajnej temperaturze 150°C. Z kolei pomiary wykresu krzywej napięcia ograniczającego w stosunku do wyzwolonego prądu szczytowego (Clamping Voltage vs. Peak Pulse Current) jasno obrazują wysoce stabilną pracę i proporcjonalny, kontrolowany wzrost rzędu zaledwie kilku woltów, z poziomu około 7V przy prądzie 1A, do niecałych 11V przy skrajnym obciążeniu przekraczającym 15A.

Ten niezawodny element PESD5V0S2BT został na stałe zamknięty w niezwykle kompaktowej, znormalizowanej obudowie typu SOT-23, co umożliwia nieskomplikowany, zautomatyzowany montaż powierzchniowy (SMD). Wymiary gabarytowe tej obudowy mieszczą się w bardzo wąskim przedziale długości od 2.800mm do 3.000mm oraz całkowitej szerokości (liczonej łącznie z wyprowadzeniami bocznymi) od 2.250mm do 2.550mm. Fizyczny profil tego specjalistycznego elementu charakteryzuje się bardzo dyskretną wysokością oscylującą w przedziale od 0.900mm do maksymalnie 1.150mm. Wewnętrzna struktura mechaniczna i elektryczna komponentu opiera się na konfiguracji z trzema miedzianymi wyprowadzeniami (pinami). Górny, środkowy pin numer 3 pełni tu strategiczną funkcję węzła wspólnego dla układu obu wewnętrznych diod, podczas gdy dolne piny 1 oraz 2 stanowią zewnętrzne terminale dla podwójnej struktury ograniczającej nadmiarowe napięcie (jak widać na załączonym schemacie Circuit Diagram). Taka przemyślana topologia idealnie wpisuje się w standardowe projektowanie padów lutowniczych (Suggested Pad Layout), gdzie producent jednoznacznie zaleca rozstaw bazowy wynoszący 1.9mm w osi poziomej dla dwóch pinów dolnych oraz odległość rzędu 2.02mm odstępu w pionie od geometrycznej osi pada wspólnego. Komponenty te są dostarczane z fabryki w wygodnym formacie taśmowanym (rolki), pakowane standardowo po równe 3000 sztuk w jednej dystrybuowanej partii (3000PCS). Producent jasno zastrzega w specyfikacji, że jakkolwiek podzespoły te charakteryzują się bardzo dużą niezawodnością, absolutnie nie powinny być one wdrażane bezpośrednio w systemach podtrzymywania życia bez wcześniejszych, dogłębnych konsultacji technologicznych, a maksymalne wartości z dokumentacji katalogowej nie mogą być przekraczane nawet na krótkie ułamki sekund w środowisku operacyjnym.