4N25-300E AVAGO

Symbol Micros: OO4N25-300e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP06smd
Transoptor; CTR: 20 %; DIP06smd; tranzystor z wyprowadzoną bazą; 2,5 kVrms; 30 V 4N25-300E (TUBE), 4N25-500E (T&R)
Parametry
Obudowa: DIP06smd
CTR: 20%
Napięcie izolacji: 2500V
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie wyjściowe [V]: 30V
Producent: BROADCOM Symbol producenta: 4N25-300E RoHS Obudowa dokładna: PDIP06smd  
Stan magazynowy:
14 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4400 1,8100 1,3500 1,1300 1,0600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Obudowa: DIP06smd
CTR: 20%
Napięcie izolacji: 2500V
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie wyjściowe [V]: 30V