4N25M LITEON

Symbol Micros: OO4N25m
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP06
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 20% Vce 30V Uiso 4,17kV Transistor with Base 4N25M-LIT;
Parametry
CTR: 20%
Obudowa: PDIP06
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 4170V
Napięcie wyjściowe: 30V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 4N25M Obudowa dokładna: PDIP06  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5929
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 4N25M Obudowa dokładna: PDIP06  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6241
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 4N25M Obudowa dokładna: PDIP06  
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6242
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 20%
Obudowa: PDIP06
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 4170V
Napięcie wyjściowe: 30V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta