4N35-300E AVAGO

Symbol Micros: OO4N35-300e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP06smd
pojedynczy CTR 100% Vce 30V Uiso 3,55kV Transistor with Base
Parametry
CTR: 100%
Obudowa: DIP06smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 3,55kV
Napięcie wyjściowe [V]: 30V
Producent: BROADCOM Symbol producenta: 4N35-300E Obudowa dokładna: PDIP06smd  
Magazyn zewnętrzny:
11755 szt.
ilość szt. 2340+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,6329
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
65
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
CTR: 100%
Obudowa: DIP06smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 3,55kV
Napięcie wyjściowe [V]: 30V