4N35SR2VM  Fairchild

Symbol Micros: OO4N35sr2vm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP06smd
pojedynczy CTR 100% Vce 30V Uiso 4,17kV Transistor with Base
Parametry
CTR: 100%
Obudowa: DIP06smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 4170V
Napięcie wyjściowe: 30V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 4N35SR2VM Obudowa dokładna: PDIP06smd  
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7221
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 100%
Obudowa: DIP06smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 4170V
Napięcie wyjściowe: 30V