6N135S SMD-8 LITEON

Symbol Micros: OO6N135 smd LTN
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP08smd
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 7-50% Vce 20V Uiso 5kV Transistor with Base 6N135S-TA1
Parametry
CTR: 7-50%
Obudowa: DIP08smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 20V
Producent: LITE-ON Symbol producenta: 6N135S-TA1 RoHS Obudowa dokładna: PDIP08smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
98 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4400 1,2000 1,0700 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
CTR: 7-50%
Obudowa: DIP08smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 20V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta