HT-6N136-S1TA1 SMD-8P HENGTUO EL.
Symbol Micros:
OO6N136 smd HEN
Obudowa: PDIP08smd
Transoptor; CTR: 19-50 %; PDIP08smd; tranzystor z wyprowadzoną bazą; 5 kVrms; 20 V odpowiednik: LTV6N136 smd, PS8601 smd, 6N136S, 6N136S. 6N136S(TA) 6N136S(TA)-V
Parametry
| Obudowa: | PDIP08smd |
| CTR: | 19-50% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | Transistor with Base |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 20V |
| Obudowa: | PDIP08smd |
| CTR: | 19-50% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | Transistor with Base |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 20V |