CNY75B

Symbol Micros: OOCNY75b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP06
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Pojedynczy CTR 100-200% Vce 70V Uiso 5,0kV VDE0884 NPN Phototransistor
Parametry
CTR: 100-200%
Obudowa: PDIP06
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe [V]: 70V
Producent: Vishay Symbol producenta: CNY75B RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 karta katalogowa
Stan magazynowy:
750 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4500 0,9470 0,6780 0,5930 0,5560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
CTR: 100-200%
Obudowa: PDIP06
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe [V]: 70V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta