EL357N-G Everlight Electronics Co Ltd
Symbol Micros:
OOEL357n-g EVL
Obudowa:
Transoptor; CTR: 50-600 %; SOP04; fototranzystor NPN; 3,75 kVrms; 80 V
Parametry
| Obudowa: | SOP04 |
| CTR: | 50-600% |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |
Producent: EVERSPIN
Symbol producenta: EL357N-G
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
4100 szt.
| ilość szt. | 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3647 |
| Obudowa: | SOP04 |
| CTR: | 50-600% |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |