EL814(A)-V Everlight Electronics Co Ltd
Symbol Micros:
OOEL814a-v EVL
Obudowa:
Transoptor; CTR: 20-300 %; PDIP04; fototranzystor NPN; 5 kVrms; 35 V
Parametry
| Obudowa: | PDIP04 |
| CTR: | 20-300% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 35V |
| Obudowa: | PDIP04 |
| CTR: | 20-300% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 35V |