EL814S1(TU) Everlight Electronics Co Ltd
Symbol Micros:
OOEL814s1tu EVL
Obudowa: PDIP04smd
Transoptor; CTR: 20-300%; PDIP04; fototranzystor NPN; 5000Vrms; 80V EL814S1-TU
Parametry
| Obudowa: | PDIP04 |
| CTR: | 20-300% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |
| Obudowa: | PDIP04 |
| CTR: | 20-300% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |