EL817(S1)(TU) Everlight Electronics Co Ltd
Symbol Micros:
OOEL817s1tu EVL
Obudowa: PDIP04smd
Transoptor; CTR: 50 %~600 %; PDIP04smd; fototranzystor NPN; 5 kVrms; 35 V EL817S1-TU , EL817S1(TU) , EL817(S1)(TU)
Parametry
| Obudowa: | PDIP04smd |
| CTR: | 50%~600% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 35V |
Producent: EVERLIGHT
Symbol producenta: EL817S1-TU RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0700 | 0,5840 | 0,3830 | 0,3460 | 0,3050 |
Producent: EVERSPIN
Symbol producenta: EL817S1(TU)
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnętrzny:
5625 szt.
| ilość szt. | 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3050 |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| CTR: | 50%~600% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 35V |