H11F1M
Symbol Micros:
OOH11F1
Obudowa: PDIP06
pojedynczy CTR N/A% Vce 30V Uiso 5,3kV NPN Phototransistor
Parametry
| Obudowa: | PDIP06 |
| CTR: | N/A% |
| Napięcie izolacji: | 5300V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 30V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: H11F1M RoHS
Obudowa dokładna: PDIP06
Stan magazynowy:
31 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,2300 | 4,3600 | 3,4900 | 3,3900 | 3,2800 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: H11F1M
Obudowa dokładna: PDIP06
Magazyn zewnętrzny:
1970 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2800 |
| Obudowa: | PDIP06 |
| CTR: | N/A% |
| Napięcie izolacji: | 5300V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 30V |