HPC357C SOP4 HUALIAN

Symbol Micros: OOHPC357C
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SO 4
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transoptor; CTR: 200-400 %; SO 4; fototranzystor NPN; 3,75 kVrms; 80 V PC357N3TJ00F ->EOL! ; PC357N3J000F; EL357N(C)(TA)-G; LTV-356T-C;
Parametry
Obudowa: SO 4
CTR: 200-400%
Napięcie izolacji: 3750V
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 80V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Obudowa: SO 4
CTR: 200-400%
Napięcie izolacji: 3750V
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 80V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta