ILD1207T
Symbol Micros:
OOILD1207t
Obudowa: SOP08
podwójny CTR 200% Iout 30mA Uiso 4,0kV NPN Phototransistor 4000Vrms -55÷110°C
Parametry
| CTR: | 100-200% |
| Obudowa: | SOP08 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 4000V |
| CTR: | 100-200% |
| Obudowa: | SOP08 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 4000V |