LTV-354T-A

LTV-354T – Wprowadzenie i ogólna charakterystyka układu

Transoptor LTV-354T produkowany przez LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION to zaawansowany komponent optoelektroniczny zaprojektowany precyzyjnie z myślą o odpowiedzi na wejście prądu przemiennego. Element ten wykorzystuje innowacyjną technologię podwójnego formowania transferowego, co gwarantuje najwyższą niezawodność, doskonałą integralność obudowy oraz stabilność parametrów roboczych. Układ został zintegrowany w subminiaturowej obudowie typu mini-flat o profilu 2.0. Zastosowanie takiej inżynieryjnej konstrukcji sprawia, że całkowita objętość elementu jest mniejsza o 30% w bezpośrednim porównaniu do standardowych obudów typu DIP. Prezentowany komponent spełnia rygorystyczne normy bezpieczeństwa przemysłowego, co bezsprzecznie potwierdzają liczne aprobaty uznanych na świecie instytucji, w tym certyfikaty UL, CUL, CSA, FIMKO, NEMKO, DEMKO, SEMKO oraz VDE.

LTV-354T – Zastosowanie w profesjonalnych obwodach elektronicznych

Główne obszary zastosowania tego transoptora koncentrują się wokół zaawansowanych systemów elektronicznych wymagających skutecznej i stabilnej izolacji galwanicznej. Dzięki bardzo małym gabarytom profilu układ idealnie nadaje się do montażu na hybrydowych podłożach elektronicznych, w których bezwzględnym wymogiem konstrukcyjnym jest montaż o bardzo wysokiej gęstości elementów. Ponadto omawiany komponent optoelektroniczny jest powszechnie implementowany w specjalistycznych sterownikach programowalnych. Zapewnia on w nich całkowicie bezpieczną separację czułych obwodów sterujących od wysoko-napięciowych obwodów wykonawczych. Niewielkie wymiary obudowy pozwalają inżynierom na znaczną oszczędność miejsca na płytkach obwodów drukowanych, co jest parametrem krytycznym w najnowszych projektach. Bardzo wysokie napięcie izolacji na poziomie 3750 Vrms gwarantuje w pełni bezawaryjną pracę nawet w najbardziej wymagających środowiskach operacyjnych.

LTV-354T – Specyfikacja techniczna i absolutne parametry maksymalne

Poniżej przedstawiono absolutne maksymalne parametry znamionowe określone dokładnie dla standardowej temperatury otoczenia wynoszącej 25°C:

• Prąd przewodzenia na wejściu: ±50 mA
• Maksymalne rozpraszanie mocy na wejściu: 70 mW
• Napięcie kolektor-emiter na wyjściu: 35 V
• Napięcie emiter-kolektor na wyjściu: 6 V
• Dopuszczalny prąd kolektora na wyjściu: 50 mA
• Maksymalne rozpraszanie mocy kolektora: 150 mW
• Całkowite dopuszczalne rozpraszanie mocy całego układu: 170 mW
• Napięcie izolacji wejście-wyjście: 3750 Vrms (badane dla napięcia przemiennego przez 1 min przy wilgotności względnej 40–60%)
• Dopuszczalny zakres temperatury pracy: od -55°C do 100°C
• Dopuszczalny zakres temperatury przechowywania: od -55°C do 150°C
• Dopuszczalna temperatura lutowania: 260°C przez czas 10 s (profil lutowania reflow przewiduje również temperaturę szczytową 230°C przez 30 s)

LTV-354T – Właściwości optoelektroniczne i charakterystyka transferu

Właściwości elektryczne oraz optyczne omawianego komponentu charakteryzują się następującymi parametrami (mierzonymi przy temperaturze bazowej 25°C):

• Napięcie przewodzenia na wejściu: typowo 1,2 V, maksymalnie 1,4 V (zmierzone przy prądzie wejściowym ±20 mA)
• Pojemność zacisków wejściowych: typowo 30 pF, maksymalnie 250 pF (testowane przy częstotliwości 1 kHz)
• Ciemny prąd kolektora w obwodzie wyjściowym: maksymalnie 100 nA (przy napięciu 20 V oraz braku prądu wejściowego)
• Napięcie przebicia dla ścieżki kolektor-emiter: minimum 35 V (zmierzone przy prądzie 0,1 mA)
• Napięcie przebicia dla ścieżki emiter-kolektor: minimum 6 V (zmierzone przy prądzie 10 µA)
• Współczynnik przenoszenia prądu (CTR): minimum 20%, maksymalnie 400% (przy prądzie ±1 mA oraz napięciu 5 V); wyłącznie dla wariantu układu oznaczonego rangą A przedział ten wynosi od 50% do 150%
• Napięcie nasycenia kolektor-emiter: typowo 0,1 V, absolutne maksimum to 0,2 V (przy prądzie wejściowym ±20 mA i prądzie wyjściowym 1 mA)
• Rezystancja izolacji galwanicznej: od wartości 5 × 10¹⁰ Ω do 1 × 10¹¹ Ω (parametr badany przy napięciu stałym DC 500 V)
• Zmienna pojemność pływająca: typowo 0,6 pF, maksymalnie sięga 1 pF (przy częstotliwości testowej 1 MHz)
• Czas odpowiedzi w fazie narastania sygnału: typowo 4 µs, osiągając maksimum 18 µs (przy parametrach testowych 2 V, 2 mA oraz rezystancji obciążenia 100 Ω)
• Czas odpowiedzi w fazie opadania sygnału: typowo 3 µs, osiągając maksimum 18 µs (przy zachowaniu analogicznych warunków testowych)