PC357N3T
Symbol Micros:
OOPC357n3t
Obudowa: SOIC04
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor PC357N3TJ00F ->EOL! ; PC357N3J000F
Parametry
| CTR: | 200-400% |
| Obudowa: | SOIC04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |
| CTR: | 200-400% |
| Obudowa: | SOIC04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |
Odpowiedniki
LTV-357T-C
pojedynczy CTR 50-600%; Vce 35V; Uiso 3,75kV; NPN Phototransistor; Odpowiednik: PC357T; LTV-357T-C; LTV357T-C; LTV357T-SMD; LTV-357T; LTV-357T-C-IN; LTV357T-C;
Producent:
LITE-ON
Symbol producenta:
LTV-357T-C RoHS
Obudowa dokładna:
SO 4 t/r
Stan magazynowy
323663 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
EL357N(C)(TA) 4SMD
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor EL357N-G EL357N(C)(TA)-G EL357NC-G EL357N(C)-G EL357NC-TA-G EL357N(C)(TA)-G EL357NC-TB-G EL357N(C)(TB)-G ; EL357NC-TA-VG; EL357N(C)(TA)-VG;
Producent:
EVERLIGHT
Symbol producenta:
EL357N(C)(TA)-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC04t/r
Stan magazynowy
1323 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
CYPC357(C-TP)
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-357T-C, EL357N(C)(TA)-G, PC357N3J000F
Producent:
OCIC
Symbol producenta:
CYPC357(C-TP) RoHS
Obudowa dokładna:
SOP04 t/r
Stan magazynowy
253 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
EL357C UMW
pojedynczy CTR 200-400% Vce 35V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Odpowiednik: LTV-357T-C; EL357N(C)(TA)-G; PC357N3J000F;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
EL357C RoHS
Obudowa dokładna:
SOP04 t/r
Stan magazynowy
1000 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
DY357C OTOMO
pojedynczy CTR 200-400% Vce 35V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-357T-C, EL357N(C)(TA)-G, PC357N3J000F
Producent:
OTOMO
Symbol producenta:
DY357C RoHS
Obudowa dokładna:
SOP04 t/r
Stan magazynowy
450 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)