PC357N3T
Symbol Micros:
OOPC357n3t
29866
OOPC357n3t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC04
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor PC357N3TJ00F ->EOL! ; PC357N3J000F
Parametry
CTR: | 200-400% |
Obudowa: | SOIC04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 3750V |
Napięcie wyjściowe: | 80V |
CTR: | 200-400% |
Obudowa: | SOIC04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 3750V |
Napięcie wyjściowe: | 80V |
Odpowiedniki
LTV-357T-C
pojedynczy CTR 50-600%; Vce 35V; Uiso 3,75kV; NPN Phototransistor; Odpowiednik: PC357T; LTV-357T-C; LTV357T-C; LTV357T-SMD; LTV-357T; LTV-357T-C-IN; LTV357T-C;
Producent:
LITE-ON
Symbol producenta:
LTV-357T-C RoHS
Obudowa dokładna:
SO 4 t/r
Stan magazynowy
217575 szt.
Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
cena netto (PLN) | 1,1200 | 0,5680 | 0,3440 | 0,2730 | 0,2490 |
Sposób pakowania: 3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
LITE-ON
Symbol producenta:
LTV-357T-C RoHS
Obudowa dokładna:
SO 4 t/r
Stan magazynowy
60000 szt.
Ilość szt. | 3000+ |
cena netto (PLN) | 0,2490 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
EL357N(C)(TA) 4SMD
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor EL357N-G EL357N(C)(TA)-G EL357NC-G EL357N(C)-G EL357NC-TA-G EL357N(C)(TA)-G EL357NC-TB-G EL357N(C)(TB)-G ; EL357NC-TA-VG; EL357N(C)(TA)-VG;
Producent:
EVERLIGHT
Symbol producenta:
EL357N(C)(TA)-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC04t/r
Stan magazynowy
6995 szt.
Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ | 1500+ |
cena netto (PLN) | 0,9420 | 0,5180 | 0,3420 | 0,2890 | 0,2690 |
Sposób pakowania: 3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
EVERSPIN
Symbol producenta:
EL357N(C)(TA)-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC04
Stan magazynowy
2250 szt.
Ilość szt. | 25+ |
cena netto (PLN) | 0,4042 |
Sposób pakowania: 25
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
EVERLIGHT
Symbol producenta:
EL357N(C)(TA)-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC04t/r
Stan magazynowy
7000 szt.
Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ | 1500+ |
cena netto (PLN) | 0,9420 | 0,5180 | 0,3420 | 0,2890 | 0,2690 |
Sposób pakowania: 3500/10500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
EVERLIGHT
Symbol producenta:
EL357N(C)(TA)-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC04t/r
Stan magazynowy
1500 szt.
Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ | 1500+ |
cena netto (PLN) | 0,9420 | 0,5180 | 0,3420 | 0,2890 | 0,2690 |
Sposób pakowania: 1500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
EVERLIGHT
Symbol producenta:
EL357N(C)(TA)-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC04
Stan magazynowy
28000 szt.
Ilość szt. | 3500+ |
cena netto (PLN) | 0,3210 |
Sposób pakowania: 3500
Ilość (wielokrotność 1)
CYPC357(C-TP)
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-357T-C, EL357N(C)(TA)-G, PC357N3J000F
EL357C UMW
pojedynczy CTR 200-400% Vce 35V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-357T-C, EL357N(C)(TA)-G, PC357N3J000F
DY357C OTOMO
pojedynczy CTR 200-400% Vce 35V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-357T-C, EL357N(C)(TA)-G, PC357N3J000F
MT357C MATELIGHT
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-357T-C, EL357N(C)(TA)-G, PC357N3J000F
Edytuj Symbol
Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta
Symbol Micros
Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros
Symbol Kontrahenta:
Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta
Dodaj symbol
Symbol Micros
Symbol Kontrahenta:
Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta
Podana nazwa jest zajeta
Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.