PC357N4T

Symbol Micros: OOPC357n4t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC04
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 300-600% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Cross Reference: VOM617A-9T Vishay; PC357N4TJ00F ->EOL! zamiennik: PC357N4J000F
Parametry
CTR: 300-600%
Obudowa: SOIC04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Sharp Symbol producenta: PC357N4J000F RoHS Obudowa dokładna: SOIC04t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3300 0,7300 0,5740 0,5320 0,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/12000
CTR: 300-600%
Obudowa: SOIC04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta