FOD817A300W

Symbol Micros: OOPC817a300w FAI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04 0,4"
Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 80-160% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt.
Parametry
CTR: 80-160%
Obudowa: PDIP04 0,4"
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817A300W RoHS Obudowa dokładna: PDIP04 0,4" karta katalogowa
Stan magazynowy:
67 szt.
ilość szt. 3+ 15+ 67+ 335+ 1675+
cena netto (PLN) 1,7900 1,0600 0,8170 0,7230 0,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
67
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817A300W RoHS Obudowa dokładna: PDIP04 0,4" karta katalogowa
Stan magazynowy:
33 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 33+ 132+ 495+
cena netto (PLN) 1,7900 1,1700 0,8860 0,7450 0,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
33
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FOD817A300W RoHS Obudowa dokładna: PDIP04 0,4" karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7900 0,9880 0,7770 0,7200 0,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
CTR: 80-160%
Obudowa: PDIP04 0,4"
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 70V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta