LTV817S-A smd

Symbol Micros: OOPC817altvs CT
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
Transoptor; CTR: 160 %; PDIP04smd; fototranzystor NPN; 0,5 kVrms; 35 V FOD817AS, FOD817ASD, LTV-817S-TA1-A; MT817ASM;
Parametry
Obudowa: PDIP04smd
CTR: 160%
Napięcie izolacji: 0,5kV
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 35V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-12-31
Ilość szt.: 1500
Obudowa: PDIP04smd
CTR: 160%
Napięcie izolacji: 0,5kV
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 35V