PC817X2NSZ9F
Symbol Micros:
OOPC817b CT
Obudowa: PDIP04
pojedynczy CTR 130-260% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor PC817B LTV817B, EL817B-F PC817X2NSZW PC817X2NSZW6 PC817X2NSZ1B PC817X2NSZ9F(B) PC817X2NSZ0F (130% @ 5mA / 260% @ 5mA) ; PC817X2NSZ9F (50% @ 5mA / 600% @ 5mA); MT817B;
Parametry
| CTR: | 130-260% |
| Obudowa: | PDIP04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 35V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-12-31
Ilość szt.: 1000
| CTR: | 130-260% |
| Obudowa: | PDIP04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 35V |