EL817B(=PC817B)
Symbol Micros:
OOPC817b EVL
Obudowa: PDIP04
pojedynczy CTR 130-260% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor odpowiednik: LTV817B, PC817B EL817(B)-F EL817B
Parametry
CTR: | 130-260% |
Obudowa: | PDIP04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-05-15
Ilość szt.: 10000
CTR: | 130-260% |
Obudowa: | PDIP04 |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |