EL817B(=PC817B)

Symbol Micros: OOPC817b EVL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04
pojedynczy CTR 130-260% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor odpowiednik: LTV817B, PC817B EL817(B)-F EL817B
Parametry
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V
Producent: EVERLIGHT Symbol producenta: EL817(B)-F RoHS Obudowa dokładna: PDIP04 karta katalogowa
Stan magazynowy:
4138 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,8800 0,4170 0,2340 0,1780 0,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100/2500/16000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-05-15
Ilość szt.: 10000
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V