FOD817B3S

Symbol Micros: OOPC817b3s FAI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 130-260% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototr. DIN EN/IEC60747-5-5 opt. FOD817B3SD
Parametry
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe [V]: 70V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FOD817B3SD RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5300 0,8450 0,6640 0,6150 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FOD817B3S Obudowa dokładna: PDIP04smd  
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt.
ilość szt. 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe [V]: 70V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta