LTV817S-D smd
Symbol Micros:
OOPC817dltvs
Obudowa: DIP04smd
Transoptor; CTR: 300-600 %; DIP04smd; fototranzystor NPN; 5 kVrms; 35 V FOD817DS, LTV-817S-TA1-D FOD817D300W
Parametry
| Obudowa: | DIP04smd |
| CTR: | 300-600% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 35V |
| Obudowa: | DIP04smd |
| CTR: | 300-600% |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 35V |
Odpowiedniki
FOD817DS
pojedynczy CTR 300-600% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817DSD
Producent:
Fairchild
Symbol producenta:
FOD817DS RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
24 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,3700 | 0,7280 | 0,5640 | 0,5210 | 0,4990 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
FOD817DS RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
120 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,3700 | 0,7280 | 0,5640 | 0,5330 | 0,4990 |
Sposób pakowania: 100/200
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
FOD817DS RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,3700 | 0,7280 | 0,5640 | 0,5090 | 0,4920 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
FOD817DS RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
7000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4990 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
MT817DSM MATELIGHT
pojedynczy CTR 300-600% Vce 80V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-817S-D, EL817S(D), EL817S1(D)(TU)-F, FOD817DS, FOD817DSD
Producent:
MATELIGHT
Symbol producenta:
MT817DSM RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
1500 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ | 1500+ |
| cena netto (PLN) | 0,8190 | 0,4130 | 0,2480 | 0,2000 | 0,1820 |
Sposób pakowania: 1500
Ilość (wielokrotność 1)