LTV817S-D smd

Symbol Micros: OOPC817dltvs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DIP04smd
rys. techniczny rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 300-600% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817DS, LTV-817S-TA1-D FOD817D300W
Parametry
CTR: 300-600%
Obudowa: DIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V
Producent: LITE-ON Symbol producenta: LTV-817S-TA1-D RoHS Obudowa dokładna: DIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2900 0,7070 0,4630 0,4000 0,3690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
CTR: 300-600%
Obudowa: DIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta