LTV817S-D smd
 Symbol Micros:
 
 OOPC817dltvs 
 
  
 
 
 
 
 Obudowa: DIP04smd
 
 
 
 pojedynczy CTR 300-600% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817DS, LTV-817S-TA1-D FOD817D300W 
 
 
 
 Parametry 
 
 	
		
											
 
 
 
 | CTR: | 300-600% | 
| Obudowa: | DIP04smd | 
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor | 
| Napięcie izolacji: | 5000V | 
| Napięcie wyjściowe: | 35V | 
| CTR: | 300-600% | 
| Obudowa: | DIP04smd | 
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor | 
| Napięcie izolacji: | 5000V | 
| Napięcie wyjściowe: | 35V |