LTV817S-D smd

Symbol Micros: OOPC817dltvs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DIP04smd
pojedynczy CTR 300-600% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817DS, LTV-817S-TA1-D FOD817D300W
Parametry
CTR: 300-600%
Obudowa: DIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V
Producent: LITE-ON Symbol producenta: LTV-817S-TA1-D RoHS Obudowa dokładna: DIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
2220 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4330 0,2960 0,2620 0,2560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
CTR: 300-600%
Obudowa: DIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V