LTV817S-D smd
Symbol Micros:
OOPC817dltvs
Obudowa: DIP04smd
pojedynczy CTR 300-600% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817DS, LTV-817S-TA1-D FOD817D300W
Parametry
CTR: | 300-600% |
Obudowa: | DIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |
Producent: LITE-ON
Symbol producenta: LTV-817S-TA1-D RoHS
Obudowa dokładna: DIP04smd
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2360 szt.
ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,9420 | 0,4550 | 0,3110 | 0,2760 | 0,2690 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817D300W
Obudowa dokładna: DIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3296 |
CTR: | 300-600% |
Obudowa: | DIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 35V |