LTV817S-D smd

Symbol Micros: OOPC817dltvs CT
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DIP04smd
rys. techniczny rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transoptor; CTR: 300-600 %; DIP04smd; fototranzystor NPN; 5 kVrms; 35 V FOD817DS, LTV-817S-TA1-D FOD817D300W; MT817DSM;
Parametry
Obudowa: DIP04smd
CTR: 300-600%
Napięcie izolacji: 5000V
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 35V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-12-31
Ilość szt.: 1500
Obudowa: DIP04smd
CTR: 300-600%
Napięcie izolacji: 5000V
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 35V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta