TLP185(GR,SE(T Toshiba

Symbol Micros: OOTLP185gr-se
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SO 4
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 100-300% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor TLP185(GR,SE(T; TLP185(GR-TPL,SE(T; TLP185(GR-TPR,SE(T; TLP185(GR-TPR,E(O;
Parametry
CTR: 100-300%
Obudowa: SO 6
Typ wyjścia: Fototranzystor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
CTR: 100-300%
Obudowa: SO 6
Typ wyjścia: Fototranzystor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta