TLP185(GR,SE(T Toshiba

Symbol Micros: OOTLP185gr-se
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SO 4
Transoptor; liczba kanałów: 1; CTR: 100-300 %; SO 6; fototranzystor; 3,75 kVrms; 80 V TLP185(GR,SE(T; TLP185(GR-TPL,SE(T; TLP185(GR-TPR,SE(T; TLP185(GR-TPR,E(O;
Parametry
Obudowa: SO 6
CTR: 100-300%
Napięcie izolacji: 3750V
Typ wyjścia: Fototranzystor
Napięcie wyjściowe [V]: 80V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Obudowa: SO 6
CTR: 100-300%
Napięcie izolacji: 3750V
Typ wyjścia: Fototranzystor
Napięcie wyjściowe [V]: 80V