TLP291 SOIC04 TLP291(TP,SE(T
Symbol Micros:
OOTLP291
Obudowa: SOIC04
pojedynczy CTR 100-600% Vce 80V Uiso 3,75kV Transistor TLP291(E(O; TLP291-E-O; TLP291(TP,E(O; TLP291(GB,E(O; TLP291(GB-TP,E(O; TLP291(GR,SE(T; TLP291-GR.SE-T; T&R TLP291GB-TP.SE; CYTLP291(GB-TP); TLP291-GB-TP.E-O; TLP291(GB-TP.E(O;
Parametry
| CTR: | 100-600% |
| Obudowa: | SOIC04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(GB-TP,SE(T RoHS
Obudowa dokładna: SOIC04t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4500 | 0,7990 | 0,6280 | 0,5820 | 0,5580 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-08-08
Ilość szt.: 1400
| CTR: | 100-600% |
| Obudowa: | SOIC04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |