TLP291 SOIC04    TLP291(TP,SE(T

Symbol Micros: OOTLP291
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC04
pojedynczy CTR 100-600% Vce 80V Uiso 3,75kV Transistor ; Rank CTR GB : 100~300; TLP291(E(O; TLP291-E-O; TLP291(TP,E(O; TLP291(GB,E(O; TLP291(GB-TP,E(O; TLP291(GR,SE(T; TLP291-GR.SE-T; T&R TLP291GB-TP.SE; CYTLP291(GB-TP); TLP291-GB-TP.E-O; TLP291(GB-TP.E(O; TLP291GB-TP,SE(T;
Parametry
CTR: 100-600%
Obudowa: SOIC04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS Obudowa dokładna: SOIC04t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
7500 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4500 0,7990 0,6280 0,5820 0,5580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP291(GB-TP,SE RoHS Obudowa dokładna: SOIC04t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
790 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1400+
cena netto (PLN) 1,4500 0,9530 0,6840 0,5860 0,5580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS Obudowa dokładna: SOIC04t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1400 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1400+
cena netto (PLN) 1,4500 0,9530 0,6840 0,5860 0,5580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1400
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS Obudowa dokładna: SOIC04t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
875 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 875+
cena netto (PLN) 1,4500 0,9490 0,6790 0,5940 0,5580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
875
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP291(SE Obudowa dokładna: SOIC04  
Magazyn zewnetrzny:
3425 szt.
ilość szt. 175+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6519
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
175
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
CTR: 100-600%
Obudowa: SOIC04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V