TLP291 SOIC04 TLP291(TP,SE(T
Symbol Micros:
OOTLP291
Obudowa: SOIC04
pojedynczy CTR 100-600% Vce 80V Uiso 3,75kV Transistor ; Rank CTR GB : 100~300; TLP291(E(O; TLP291-E-O; TLP291(TP,E(O; TLP291(GB,E(O; TLP291(GB-TP,E(O; TLP291(GR,SE(T; TLP291-GR.SE-T; T&R TLP291GB-TP.SE; CYTLP291(GB-TP); TLP291-GB-TP.E-O; TLP291(GB-TP.E(O; TLP291GB-TP,SE(T;
Parametry
| CTR: | 100-600% |
| Obudowa: | SOIC04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS
Obudowa dokładna: SOIC04t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
875 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,7190 | 0,5600 | 0,5070 | 0,4890 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS
Obudowa dokładna: SOIC04t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7500 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,7190 | 0,5600 | 0,5070 | 0,4890 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS
Obudowa dokładna: SOIC04t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1400 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,7190 | 0,5600 | 0,5070 | 0,4890 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(GB-TP,SE RoHS
Obudowa dokładna: SOIC04t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
730 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,7190 | 0,5600 | 0,5070 | 0,4890 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(TP,SE(T
Obudowa dokładna: SOIC04
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5408 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP291(GB-TP,SE(T
Obudowa dokładna: SOIC04
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5408 |
| CTR: | 100-600% |
| Obudowa: | SOIC04 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |