TLP291(GB.SE(T
Symbol Micros:
OOTLP291gb-se-t
Obudowa: SOIC04
Transoptor; CTR: 100-300 %; SOIC04; fototranzystor NPN; 3,75 kVrms; 80 V Odpowiednik: TLP291-GB.SE-T; TLP291-GR.SE-T; TLP291-SE-T; TLP291GB-TP.SE; TLP291(GB-TP.E(O; TLP291(GB.E(O; TLP291-GB.SE-T; TLP291(GB,SE; TLP291(GB-TP,SE; TLP291(GB-TP,E); TLP291(GB-TP,SE(T; TLP291(GB-TP,SE(O;
Parametry
| Obudowa: | SOIC04 |
| CTR: | 100-300% |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |
| Obudowa: | SOIC04 |
| CTR: | 100-300% |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |