TLP291(SE(T

Symbol Micros: OOTLP291se-t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC04
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transoptor; CTR: 50 %~600 %; SOIC04; fototranzystor NPN; 3,75 kVrms; 80 V TLP291(SE TLP291(SE(T
Parametry
Obudowa: SOIC04
CTR: 50%~600%
Napięcie izolacji: 3750V
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 80V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP291(SE(T RoHS Obudowa dokładna: SOIC04 karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 40+ 175+ 700+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 1,0100 0,8920 0,8490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
175
Obudowa: SOIC04
CTR: 50%~600%
Napięcie izolacji: 3750V
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 80V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta