TLP292(GB-TPL,E(T
Symbol Micros:
OOTLP292-GB
Obudowa: SOIC04
Transoptor; CTR: 50-600 %; SOIC04; fototranzystor NPN; 3,75 kVrms; 80 V
Parametry
| Obudowa: | SOIC04 |
| CTR: | 50-600% |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TLP292(GB,E(T
Obudowa dokładna: SOIC04
Magazyn zewnętrzny:
7925 szt.
| ilość szt. | 700+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7255 |
| Obudowa: | SOIC04 |
| CTR: | 50-600% |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |