VO617A-4X017T
Symbol Micros:
OOVO617a-4x017t
Obudowa: PDIP04smd
Transoptor; CTR: 160 %~320 %; PDIP04smd; fototranzystor NPN; 5,3 kVrms; 80 V
Parametry
| Obudowa: | PDIP04smd |
| CTR: | 160%~320% |
| Napięcie izolacji: | 5300V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| CTR: | 160%~320% |
| Napięcie izolacji: | 5300V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |