Opis szczegółowy
AT45DB041E - szeregowa, zgodna z SPI pamięć DataFlash o pojemności 4 megabitów, (+dodatkowe 128 kilobity),
zasilana już od 1,65 V.
Cechy:
• Pojedyncze napięcie zasilania z przedziału 1,65 V – 3,6 V
• Zgodność z interfejsem SPI
- obsługa trybów SPI 0 i 3
- zgodność z RapidS™
• Możliwość odczytu całej zawartości pamięci w trybie ciągłym
- do 85 MHz
- energooszczędny tryb odczytu do 15 MHz
- maksymalny czas odczytu (clock-to-output, tV) 6 ns
• Rozmiar strony ustawiany przez użytkownika
- 256 bajtów na stronę
- 264 bajty na stronę (wartość domyślna)
- możliwość wstępnego fabrycznego ustawienia rozmiaru strony na 256 bajtów
• Jeden bufor danych SRAM (256/264 bajty)
• Elastyczne możliwości programowania
- bezpośrednie programowanie pamięci głównej na poziomie bajtów lub stron (od 1 do 256/264 bajtów)
- buforowanie zapisu
- buforowanie kopiowania stron do pamięci głównej
• Elastyczne opcje wymazywania
- wymazywanie stron (256/264 bajtów)
- wymazywanie bloków (2 kB)
- wymazywanie sektorów (64 kB)
- wymazywanie układu (4 Mb)
• Zaawansowane sprzętowe i programowe mechanizmy ochrony danych
- ochrona poszczególnych sektorów
- możliwość blokowania poszczególnych sektorów (przełączania ich w tryb tylko do odczytu)
• Rejestr bezpieczeństwa o pojemności 128 bajtów, który można zaprogramować tylko raz
- 64 bajty z umieszczonym fabrycznie unikatowym identyfikatorem
- 64 bajty na dane użytkownika
• Reset sprzętowy i programowy
• Odczyt danych o producencie i identyfikatora urządzenia zgodnie ze standardem JEDEC
• Mała rozpraszana moc
- pobór prądu w trybie ultra głębokiego wyłączenia 400 nA (typowo)
- pobór prądu w trybie głębokiego wyłączenia 3 μA (typowo)
- pobór prądu w trybie czuwania 25 μA (typowo przy 20 MHz)
- pobór prądu w trakcie odczytu 11 mA (typowo)
• Trwałość: co najmniej 100 000 cykli programowania/wymazywania na stronę
• Przechowywanie danych: 20 lat
• Zgodność z przemysłowym zakresem temperatur pracy
• Dostępność wariantów ekologicznych (bezołowiowych, bezhalogenkowych, zgodnych z RoHS)
- 8-nóżkowa obudowa SOIC (szerokość 0,150ʺ, długość 0,208")
- 8-padowa ultra cienka obudowa DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
Opis
Adesto® AT45DB041E to szeregowa pamięć Flash o dostępie sekwencyjnym, zasilana napięciem od 1,65 V. Jest ona idealnym wyborem do szerokiej gamy urządzeń, w których zachodzi potrzeba przechowywania głosu, zdjęć, kodu programu czy danych. AT45DB041E jest też zgodna z interfejsem szeregowym RapidS, co ma znaczenie w przypadku zastosowań wymagających bardzo dużej szybkości działania. 4,194,304 bitów pamięci podzielono na 2,048 strony, z których każda składa się z 256 lub 264 bajtów. Poza pamięcią główną, AT45DB041E zawiera także jeden bufor SRAM o pojemności 256/264 bajtów. Może on służyć jako dodatkowa pamięć stronicowania, a dzięki pracy trzyetapowej, w systemie odczyt-modyfikacja-zapis, pozwala łatwo zaimplementować emulację pamięci E2PROM, dając dostęp do zawartości na poziomie pojedynczych bitów lub bajtów. W przeciwieństwie do tradycyjnych pamięci Flash o dostępie swobodnym, wyposażonych w wiele linii adresowych i interfejs
równoległy, w pamięciach Adesto DataFlash® stosuje się interfejs szeregowy i dostęp sekwencyjny.
Jego prostota przekłada się na drastyczne zmniejszenie liczby potrzebnych pinów, ułatwia projektowanie ścieżek, zwiększa niezawodność systemu, ogranicza zakłócenia EMI i pozwala na umieszczenie pamięci w niewielkiej obudowie. Urządzenie zostało zoptymalizowane pod kątem wykorzystania w wielu rozwiązaniach komercyjnych i przemysłowych, w których najbardziej liczy się duża gęstość upakowania elementów, niewielka liczba wyprowadzeń, niskie napięcie zasilania i małe zużycie energii.
AT45DB041E nie wymaga programowania wysokonapięciowego, co pozwala na szybkie przeprogramowywanie pamięci w
układzie. Wymazywanie i programowanie, oraz odczyt odbywają się przy napięciu zasilającym z przedziału od 1,65 V do 3,6 V. Pamięć AT45DB041E uaktywnia się poprzez pin Chip Select (CS) i uzyskuje do niej dostęp przy użyciu interfejsu trzyżyłowego: Serial Input (SI), Serial Output (SO) oraz Serial Clock (SCK). Sterowanie właściwymi zależnościami czasowymi przy wszystkich operacjach programowania i wymazywania odbywa się automatycznie.
