FM25CL64B-G
| Zakres napięcia zasilania: | 2,7~3,65V |
| Obudowa: | SOP08 |
| Pamięć RAM: | 8kB |
| Częstotliwość: | 20,000MHz |
| Producent: | Ramtron |
| Architektura: | 8-bit |
| Interfejs SPI: | TAK |
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,8700 | 7,4000 | 6,5500 | 6,1400 | 5,9100 |
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,8700 | 7,4000 | 6,5500 | 6,1400 | 5,9100 |
| Zakres napięcia zasilania: | 2,7~3,65V |
| Obudowa: | SOP08 |
| Pamięć RAM: | 8kB |
| Częstotliwość: | 20,000MHz |
| Producent: | Ramtron |
| Architektura: | 8-bit |
| Interfejs SPI: | TAK |
| Interfejs TWI (I2C): | NIE |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 85°C |
| Interfejs CAN: | NIE |
| Interfejs CRYPT: | NIE |
| Interfejs ETHERNET: | NIE |
| Interfejs UART/USART: | NIE |
| Interfejs USB: | NIE |
| Przetwornik A/D: | NIE |
| Przetwornik D/A: | NIE |
Wybrane właściwości:
- pojemność: 64 Kbit;
- organizacja: 8-bitowa;
- dostęp szeregowy: interfejs 2-Wire/SPI;
- częstotliwość zegara interfejsu: 1/20 MHz;
- okres niezmienności danych umieszczonych w pamięci: min. 10 lat;
- brak oczekiwania na operację typu zapis/odczyt (NoDelay™ Writes);
- pobór prądu:
a) w stanie aktywnym: max. 200 µA;
b) w trybie standby: max. 10 µA;
- kompatybilność z pamięciami EEPROM;
- napięcie zasilania: 2,7 ÷ 3,65 V;
- temperatura pracy: -40 ÷ 85°C;
- dostępne w obudowie: SOP08.
Pamięć FRAM zbudowana jest z materiału ferroelektrycznego o nazwie PZT (związek ołowiu, cyrkonu i tytanu), którego cechuje możliwość zapamiętania jednego z dwóch kierunków pola elektrycznego. Do zapamiętania informacji wykorzystuje się efekt ferroelektryczny – pod wpływem działania pola elektrycznego następuje trwała zmiana polaryzacji cząsteczek. Nieobecność pola elektrycznego nie powoduje zmiany polaryzacji. Komórkę pamięci można sobie wyobrazić jako kondensator z materiałem ferroelektrycznym jako dielektrykiem, ładowany na przemian napięciem o przeciwnej polaryzacji. Poprzez zmianę polaryzacji ładunków w takim kondensatorze można zapamiętać dwa stabilne stany odpowiadające stanom logicznym „0” i „1”.
Pamięci FRAM nazywane są nieulotnymi pamięciami RAM. Łączą w sobie zalety pamięci o dostępie swobodnym RAM oraz pamięci tylko do odczytu ROM. Charakteryzują się możliwością szybkiego odczytu i zapisu, nieograniczoną ilością cykli zapis/kasowanie, a jednocześnie nieulotnością danych – wyłączenie napięcia zasilającego nie powoduje utraty zapamiętanej informacji; odświeżanie informacji nie jest konieczne. Pamięci FRAM stosowane są tam, gdzie wymagana jest duża szybkość pracy, niski pobór prądu oraz bezpieczeństwo danych.