2N1711 CDIL

Symbol Micros: T2N1711
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 39
Tranzystor NPN; 300; 800mW; 50V; 500mA; 70MHz; -65°C ~ 200°C; 2N1711; 2N1711-CDI;
Parametry
Moc strat: 800mW
Producent: CDIL
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: TO 39
Częstotliwość graniczna: 70MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: CDIL Symbol producenta: 2N1711 RoHS Obudowa dokładna: TO 39 karta katalogowa
Stan magazynowy:
364 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7200 1,3500 1,2300 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: Central Semiconductor Symbol producenta: 2N1711 PBFREE Obudowa dokładna: TO 39  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,5553
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: CDIL Symbol producenta: 2N1711 Obudowa dokładna: TO 39  
Magazyn zewnetrzny:
1450 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2103
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 800mW
Producent: CDIL
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: TO 39
Częstotliwość graniczna: 70MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN